四虎成人免费视频,国产一级a作爱视频免费观9看,色五月丁香亚洲,亚洲欧美性爱在线视频,1000部黄片免费观看一区,国产亚洲性生活视频播放,三级黄色在线视频网站

現在位置:范文先生網>理工論文>電子通信論文>通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

時間:2023-02-21 00:14:06 電子通信論文 我要投稿
  • 相關推薦

通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

  摘要:采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6XDSP集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0下,通過JTAG口實現對DSP外部Flash可擦寫存儲器的在線編程;將用戶數據文件燒寫到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711DSP板上多次測試通過。
  關鍵詞:嵌入式系統DSPFlashJTAG在線編程CCS2.0
  
  引言
  
  在采用TI數字信號處理器(DSP)的嵌放式硬件系統開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經過轉換后的十六進制文件(.Hex)寫入硬件系統的Flash存儲器中,讓系統脫機運行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學者遇到并需要解決的問題。
  
  從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150DSK板為例,介紹“在線仿真狀態(tài)下”對Flash的編程。
  
  1Flash存儲器的擦除
  
  Flash編程之前,應對Flash進行擦除,使其每個數據位都恢復為1狀態(tài),即全FF狀態(tài)。對Flash的擦除操作需要6個總線周期,總線時序如圖1。
  
  從圖1可知,各總線周期的操作為:
  
  第一總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
  
  第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
  
  第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據80H;
  
  第四總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;
  
  第五總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
  
  第六總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據10H。
  
  完成上述操作后,Flash存儲器被完全擦除,內部數據恢復為初始狀態(tài),全為FFH。
  
  在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
  
  voiderase_flash()
  
  {
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;
  
  }
  
  在TMS320C6711系統中,Flash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:
  
  #defineFLASH_ADR10x90005555
  
  #defineFLASH_ADR20x90002AAA
  
  需要說明的是,在對Flash進行擦除時,應對DSP及EMIF外存儲器接口進行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。
  
  初始化函數如下:
  
  voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/
  
  CSR=0x100;/*禁止所有中斷*/
  
  IER=1;/*禁止除NMI外的所有中斷*/
  
  ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中斷*/
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_GCR=0x3300
  
  
  
  ;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;
  
  *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529;
  
  }
  
  2Flash存儲器的編程
  
  對Flash存儲器進行字節(jié)編程之前,需要對它進行3個周期的編程指令操作,總線時序如圖2。
  
  從圖2可知,各總線周期的操作如下:
  
  第一總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;
  
  第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
  
  第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據A0H;
  
  第四總線周期——向地址的存儲單元寫入編程數據;
  
  ……
  
  在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
  
  /*---------------------------------------------------------------------*/
  
  /*入口參數:pattern[]:數組,用于存儲編程數據*/
  
  */start_address:所要編程的起始地址指針*/
  
  /*page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/
  
  /*出口參數:無*/
  
  /*---------------------------------------------------------------------*/
  
  voidflash_page_prog(unsignedcharpattern[],unsignedvolatilechar*start_address,intpage_size){
  
  volatileinti;
  
  unsignedvolatilechar*flash_ptr=start_address;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
  
  *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
  
  for(i=0;i<page_size;i++)
  
  *flash_ptr++=pattern[i];
  
  }
  
  其中,FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下:
  
  #defineFLASH_KEY10xAA
  
  #defineFLASH_KEY20x55
  
  #defineFLASH_KEY30xA0
  
  3校驗和的計算與編程原理
  
 。1)校驗和的計算
  
  在程序中,應對Flash編程的正確性進行自動檢查,把編程前數據的校驗和編程后Flash中讀出數據的校驗和進行比較:如果相同,則編程成功;如果不相同,則編程失敗。需要注意的是,在對Flash進行編程的過程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數據,這樣會導致一會地址編程的失敗。
  
  其C語言程序如下:
  
  /*---------------------------------------------------------
  
  
  
  -------------*/
  
  /*入口參數:start_address:所要校驗的起始地址*/
  
  /*size_in_byte:所要校驗的Flash數據字節(jié)數*/
  
  /*出口參數:lchecksum:校驗和*/
  
  /*----------------------------------------------------------------------*/
  
  intflash_checksum(intstart_address,intsize_in_byte){
  
  inti;
  
  intlchecksum;
  
  unsignedvolatilechar*flash_ptr=(unsignedvolatilechar*)
  
  start_address;
  
  inttemp;
  
  i=0;
  
  lchecksum=0;
  
  while(i<size_in_byte-4){
  
  temp=*flash_ptr++;
  
  temp&=0xff;
  
  lchecksum=lchecksum+temp;
  
  i++;
  
  }
  
  returnlchecksum;
  
  }
  
  (2)編程原理
  
  基本原理是:在仿真狀態(tài)下,在PC機上運行DSP編程軟件,由運行的DSP通過JTAG口從PC機上讀入待編程的十六進制數據文件,由DSP將其寫入到其外部Flash中,即完成用戶數據文件的燒寫工作。
  
  4編程數據的讀入及編程
  
  編程時,由DSP程序從終端仿真計算機上打開要編程的十六進制文件,從十六進制文件中依次讀入編程數據,并由DSP將其寫入到其外部Flash中,程序段如下:
  
  while(data_flag=0){
  
  display_count++;
  
  if(display_count==DISPLAY_SIZE){
  
  display_count=0;
  
  /*printf(".");*/
  
  }
  
  for(i=0;i<FLASH_WRITE_SIZE;i++){
  
  j=fscanf(hex_fp,“%x”,&data);/*從文件中讀入編程數據,每次取一個字節(jié)*/
  
  if(j==EOF||j==0){
  
  data_flag=1;
  
  break;
  
  }
  
  host_buffer[i]=data;
  
  checksum+=data;
  
  flash_addr+=1;
  
  if(falsh_addr>0x90020001){
  
  printf("ERROR:beyondvalidflashaddress!");
  
  }
  
  }
  
  //寫入Flash
  
  ptr=(unsignedvolatilechar*)(flash_addr-0x80);
  
  if(data_flasg==0){
  
  length=FLASH_WRITE_SIXZE;
  
  flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);
  
  printf("Programmingaddress:%x",flash_addr-0x
  
  
  
  80);
  
  }
  
  }
  
  注意:所采用的十六進制文件應使用“Hex6x.exe”命令,并在hex.cmd命令文件中使用“-a”參數生成的文件;指定的存儲器長度必須能被128整數(len參數能被128整除)。因為AT29LV010A以扇區(qū)為操作單位,每個扇區(qū)為128字節(jié),共1024個扇區(qū),其格式如下:
  
  …
  
  -maphex.map
  
  -a
  
  -image
  
  -zero
  
  -memwidth8
  
  ROMS
  
  {
  
  FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex}
  
  }
  
  …
  
  5仿真運行
  
  將上述程序組成一個完整的程序,經過編譯、鏈接(Project/Build命令)后,使用“File/LoadProgram...”將編程代碼Load到DSP中,運行程序,經過幾分種后即編程完畢。
  
  結語
  
  對DSP外部Flash編程雖不是一項關鍵技術,但它在整個DSP嵌入式系統開發(fā)中卻有著至關重要的作用。如果開發(fā)者在設計之初就掌握了這項技術,就會大大方便系統的調試,縮短開發(fā)時間。
  
  由于篇幅所限,本文僅給出部分核心程序代碼,讀者可利用上述代碼編寫一個完整的程序。
  
  
  
  
  
  

【通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程】相關文章:

JTAG口及其對Flash的在線編程08-06

DSP外掛Flash在系統編程及并行引導裝載方法08-06

高性能FLASH存儲器在DSP電機智能保護中的應用08-06

利用F206片內Flash進行在線編程08-06

Trimedia DSP芯片JTAG接口的仿真器設計08-06

DSP+FLASH引導裝載系統的設計與實現08-06

DSP編程的幾個關鍵問題08-06

利用Flash實現DSP對多個程序有選擇的加載08-06

C8051F的超大容量Flash存儲器擴展08-06